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SK海力士攜手台積電 強化下一代HBM晶片效能

經濟日報／ 編譯簡國帆／綜合外電
K海力士（SK Hynix）與台積電簽署合作備忘錄，攜手開發下一代高頻記憶體（HBM）晶片，透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM的整合。路透
K海力士（SK Hynix）與台積電簽署合作備忘錄，攜手開發下一代高頻記憶體（HBM）晶片，透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM的整合。路透

南韓記憶體晶片大廠SK海力士（SK Hynix）與台積電簽署合作備忘錄，攜手開發下一代高頻記憶體（HBM）晶片，透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM晶片的整合。

SK海力士發布聲明表示，計劃與台積電合作開發預定2026年起量產的第六代HBM晶片HBM4，將採用台積電的晶圓代工製程，提高HBM4的效能。

SK海力士表示，雙方將先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎晶片（Base Die）進行效能改善。 HBM是將多個DRAM晶片（Core Die）堆疊在基礎晶片上，並透過TSV技術進行垂直連接而成。基礎晶片也連接至繪圖處理器（GPU），發揮控制HBM的作用。

台積電

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