三星正式宣布3奈米進入量產 採用GAA技術比拚台積電

三星電子今天宣布3奈米製程進入量產,圖為三星晶圓代工事業和研發中心主管比出3的手勢,慶祝導入3奈米製程。(照片取自三星電子新聞稿)
三星電子今天宣布3奈米製程進入量產,圖為三星晶圓代工事業和研發中心主管比出3的手勢,慶祝導入3奈米製程。(照片取自三星電子新聞稿)

三星電子今天(30日)宣布,已開始在位於南韓京畿道的華城廠量產3奈米晶片,成為第一家導入3奈米環繞閘極技術(GAA)製程的公司。這也顯示與台積電(2330)的競爭更加激烈。

三星電子表示,和當前的5奈米晶片相比,採用新製程生產的晶片會減少16%的表面積、性能提高23%,功耗降低45%。

三星晶圓代工事業主管崔世英( Choi Si-young,音譯)表示:「三星一直迅速成長,我們持續展現在運用新一代製造技術方面的領導地位。」「我們尋求以全球第一個3奈米製程來維持這個領導地位。」

三星還表示:「正開始把具有奈米片(nanosheet)電晶體的半導體晶片首次應用於高性能、低功耗運算應用,並且計劃拓展至行動處理器。」

該公司拒絕透露那些企業客戶將下單採購三星的3奈米製程晶片,理由是必須保密。

台積電在6月表示,將在2025年開始生產超先進2奈米晶片。台積電正準備在今年下半年導入3奈米製程。

實際上,台積電和三星電子在導入3奈米製程所採取的技術不同。三星採用的GAA是下一代製程技術,改善半導體電晶體的結構,讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面,有別於當前的鰭式場效電晶體(FinFET)只能接觸電晶體三個側面的情況,這樣的結構可比FinFET製程更精準控制電流。至於台積電預定今年下半年進入3奈米半導體市場,是採用穩定的FinFET製程。

在三星今天正式宣布3奈米製程進入量產前,上周曾有南韓媒體《東亞日報》報導,由於良率遠低於目標,三星3奈米量產將再延後,但三星稍後否認,表示仍按進度於第2季開始量產3奈米晶片。

三星正熱切在晶圓代工領域急追龍頭台積電的腳步。三星副會長李在鎔與執行長慶桂顯本月稍早前往歐洲,並在荷蘭拜會半導體設備製造商艾司摩爾(ASML)的主管,討論到額外供應EUV設備給三星的議題。

不過,分析師指出,第1季在前十大晶圓代工業者中,三星是唯一出現晶圓代工事業營收下滑者。根據集邦科技上周的報告,三星晶圓代工營收53.3億美元,季比下滑3.9%。

三星表示,第1季不含記憶體晶片在內的半導體營收為26.9兆韓元(207億美元),但未公布晶圓代工事業的數據。

根據集邦科技的數據,三星在晶圓代工市場的市占率在第1季下滑至16.3%,台積電市占率則從52.1%上升至53.6%。

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